Ministère de l'éducation, de l'enseignement supérieur et de la recherche scientifique

Décret n° 90-218 du 20 janvier 1990 complétant le décret n° 78-4 du 2 janvier 1978 relatif aux horaires, programmes des études et examens en vue de la maîtrise es-sciences

Publié au Journal Officiel n° 8 du 2 février 1990, page 158

Le Président de la République ;

Vu la loi n° 89-70 du 28 juillet 1989 relative à l'enseignement supérieur et à la recherche scientifique ;

Vu le décret n° 70-204 du 11 juin 1970 fixant le régime des études et examens de la faculté des sciences mathématiques, physiques et naturelles, tel que modifié par le décret n° 78-3 du 2 janvier 1978 et complété par les décrets n° 88-1415 du 16 juillet 1988 et du décret n° 90-217 du 20 janvier 1990 ;

Vu le décret n° 78-4 du 2 janvier 1978, relatif aux horaires, programmes des études et examens en vue de la maîtrise es-sciences, tel que complété et modifié par les décrets n° 80-934 du 12 juillet 1980 et n° 83-1103 du 28 novembre 1983 et notamment ses annexes I et II ;

Sur proposition du ministre de l'éducation, de l'enseignement supérieur et de la recherche scientifique ;

Vu l'avis du tribunal administratif.

Décrète :

Article premier. — Il est ajouté à l'annexe I du décret sus-visé n° 78-4 du 2 janvier 1978, ce qui suit :

A. — Enseignements :

VIII. — Maîtrise d'électronique :

Enseignements
CoursT.D.T.P.
2 heures2 heures—
1 heure 302 heures1 heure 30
2 heures2 heures—
1 heure 301 heure 301 heure
1 heure 301 heure 302 heures
1 heure 301 heure 302 heures
Total...
27 heures

Première année :
A) Méthodes mathématiques de la physique
B) Informatique et analyse numérique
C) Mécanique quantique
D) Physique statistique et propriétés de la matière
E) Circuits et fonctions de l'électronique
F) Electronique numérique

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Enseignements
CoursT.D.T.P.
Deuxième année :
A) Microélectronique1 heure 301 heure2 heures
B) Physique des dispositifs à semiconducteurs1 heure 301 heure2 heures
C) Microprocesseurs et calculateurs1 heure 301 heure2 heures
D) Microondes et optoélectronique1 heure 301 heure 301 heure 30
E) Automatique1 heure 301 heure1 heure 30
F) Traitement du signal1 heure 301 heure1 heure 30
Total...26 heures

B. — Examens :

VIII. — Maîtrise d'électronique :

Durée de l'épreuve écriteCoefficients
EcritT.P.Oral
Première année :
A) Méthodes mathématiques de la physique2 heures2 heures—2
B) Informatique et analyse numérique2 heures2 heures1,51
C) Mécanique quantique2 heures2 heures1,52
D) Physique statistique et propriétés de la matière2 heures2 heures1,51
E) Circuits et fonctions de l'électronique2 heures2 heures1,51
F) Electronique numérique2 heures2 heures1,51
Deuxième année :
A) Microélectronique2 heures2 heures0,51
B) Physique des dispositifs à semiconducteurs2 heures2 heures11
C) Microprocesseurs et calculateurs2 heures2 heures11
D) Microondes et optoélectronique2 heures2 heures11
E) Automatique2 heures2 heures11
F) Traitement du signal2 heures2 heures0,51
— Projet de fin d'étude——4—

Art. 2. — Il est ajouté à l'annexe II du décret sus-visé n° 78-4 du 2 janvier 1978, ce qui suit :

Programmes d'enseignement :

VIII. — Maîtrise d'électronique.

Première année :

A. — Méthodes mathématiques de la physique :

1) Fonctions analytiques - applications.
2) Transformations intégrales : fourier - la place.
3) Introduction à la théorie des distributions.
4) Equations différentielles.
5) Equations aux dérivées partielles - fonction harmonique.
6) Éléments de la théorie des probabilités.
7) Fonctions aléatoires.

B. — Informatique et analyse numérique :

I. — Langage : fortran

II. — Analyse numérique :

1) Interpolation polynomiale : polynômes de lagrange et de hermite.
2) Approximation : polynômes de legendre, laguerre, hermite et tchbychev.
3) Intégration numérique.
4) Systèmes linéaires.
5) Intégrations des équations différentielles.
6) Equations aux dérivées partielles.

C. — Mécanique quatique :

1) Ondes et corpuscules. Mécanique ondulatoire de De Broglie.
2) Fondements mathématiques et postulats de la mécanique quantique.
3) Equation de Schrödinger : application aux puits de potentiel unidimensionnels et à l'oscillateur harmonique.
4) Moment cinétique et spin.
5) Champ central. Atome d'hydrogène.
6) Méthodes des perturbations.
7) Structure atomique. Système de classification de Mendeliev.

D. — Physique statistique et propriétés de la matière :

I. — Physique statistique :

1) Principes de la mécanique statistique.
2) Distributions canoniques et grands canoniques.
3) Statistiques de maxwell - boltzman.
4) Statistiques de fermi-dirac et de bosé-einstein.

II. — Propriétés de la matière :

1) Structure cristalline des solides.
2) Propriétés thermiques des matériaux : théorie d'einstein et de dobye, phonons.
3) Electrons libres dans les métaux : chaleur spécifique des métaux, conductivités, émission thermoionique.
4) Propriétés magnétiques des matériaux.
5) Propriétés ferroélectriques des matériaux.

E. — Circuits et fonctions de l'électronique :

I. — Généralités sur les circuits :

1) Théorèmes généraux.
2) Méthodes d'analyse.
3) Régimes d'excitation.

II. — Quadripoles :

1) Représentation générale.
2) Filtres.
3) Circuits à constantes réparties.

III. — Fonctions de l'électronique :

1) Redressement et régulation.
2) Amplification.
3) Oscillation.
4) Modulation.

F. — Electronique numérique :

I. — Logique combinatoire :

1) Système de numération, code, addition et soustraction.
2) Algèbre de boole.
3) Représentation et étude des fonctions logiques.

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4) Résolution d'un problème en logique combinatoire.
5) Logigrammes et schémas technologiques.
6) Etude de quelques circuits combinatoires (additionneur, comparateur...).
7) Les familles de circuits logiques.

II. — Logique séquentielle :
1) Les bascules asychrone et synchrone et leurs utilisations.
2) Mémoires à semiconducteurs.
3) Automates programmables.

Deuxième année :

A. — Microélectronique :

I. — Modélisation de transistors bipolaires et MOS en vue de l'intégration à grande échelle.

II. — Circuits digitaux :
1) Règles de dessins pour les technologies MOS et bipolaires.
2) Dimensionnement et implantation des cellules de base : inverseur, NOR, NAND, portes de transfert, circuits de puissance, mémoires PLA-ROM.

III. — Circuits bipolaires : dispositifs bipolaires, logique saturée (TTL, ISL, STL) et non saturée (CML, ECL).

IV. — Technologies élémentaires en microélectronique :
1) Techniques d'épitaxie.
2) Dépôt de diélectriques.
3) Oxydation et diffusion.
4) Implantation ionique.
5) Gravure sèche et les techniques lithographiques.
6) Méthodes de dépôt de métallisation.
7) Simulation des procédés d'élaboration de circuits intégrés.

V. — Méthodologie de conception et CAO :
1) Conception modulaire : plan de masse, interconnexions, E/S. Contraintes : complexité, puissance, vitesse. Méthodologies de conception.
2) Simulation électrique : modèles électriques stationnaires. Relaxation. Évaluateurs.
3) Simulation logique : simulation par échéancier, simulation parallèle, concurrente et déductive. Modèles des défauts, méthodes d'alsers. Différence booléenne. Méthodes synthétiques de hennier et de PO.
4) Systèmes intégrés de CAO : outils d'aides à la conception : simulation électrique, logique et fonctionnelle. Validation de la conception.

VI. — Tests et fiabilité des circuits intégrés :
1) Tests physiques, logiques, électriques et fonctionnels de circuits intégrés.
2) Fiabilité des circuits intégrés. Lois de fiabilité. Essais de fiabilité.

B. — Physique des dispositifs à semi-conducteurs :
1) Introduction à la physique du solide.
2) Propriétés des semiconducteurs.
3) Hétérostructures.
4) Transistor bipolaire.
5) Transistor à effet de champ.
6) Composants optoélectroniques.
7) Le bruit de fond.
8) Notions sur la technologie des dispositifs à semi-conducteurs.

C. — Microprocesseurs et calculateurs :

I. — Architecture des microordinateurs :
1) Organisation et fonctionnement des ordinateurs.

2) Architecture d'un microprocesseur.

II. — Programmation des microprocesseurs (applications aux microprocesseurs Lntel 8088, 80286, 80386 et motorola 6800 et 68000) :
1) Langages machine assembleur.
2) Ensemble élémentaire d'instructions.
3) Opérations : logique, transfert de données, branchement et appel à sous-programmes.
4) Modes d'adressage.
5) Branchement de programmes, boucles.
6) Sous-programmes.

III. — Interfaçage d'un microprocesseur :
1) Interfaçage avec des mémoires ROM et RAM.
2) Interfaçage avec des portes d'entrée et de sortie (E/S).
3) Synchronisation par interruption de transfert de données aux portes E/S.
4) Décodage d'adresses.

IV. — Visualisation :
1) Affichage alphanumérique.
2) Ecrans à mémoires.
3) Processus graphiques.

D. — Microondes et optoélectronique :
1) Propagation d'ondes électromagnétiques dans les milieux continus.
2) Lignes de transmissions.
3) Les ondes guidées - propagation guidée.
4) Circuits et fonctions en microondes.
5) Rayonnements et antennes.
6) Initiation aux techniques des radars.
7) Notions d'optoélectronique.

E. — Automatique :

I. — Systèmes continus linéaires :
1) Modélisation des systèmes.
2) Description d'un système asservi.
3) Méthodes d'identification.
4) Les capteurs.
5) Stabilité.
6) Synthèse des systèmes asservis.

II. — Systèmes échantillonés linéaires :
1) Généralités.
2) Représentation.
3) Systèmes asservis.
4) Stabilité-précision.
5) Elimination du régime transitoire en temps fini.
6) Commande complexe.
7) Commande multimodulée.

F. — Traitement du signal :

I. — Généralités sur les signaux et leur traitement.

II. — Signaux déterministes discrets :
1) Rappels sur la représentation des signaux déterministes continus.
2) Numérisation du signal : échantillonnage et codage.
3) Théorème d'échantillonnage.
4) Représentation de fourier discrète.
5) Transformation de fourier rapide : algorithmes de calcul rapide.

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III. — Systèmes linéaires discrets :

1) Représentation par transformée en Z.
2) Systèmes définis par des équations aux différences.
3) Filtres à réponse impulsionnelle finie : caractéristiques et synthèse.
4) Filtres à réponse impulsionnelle infinie : caractéristiques et synthèse.

IV. Signaux aléatoires :

1) Notion de signal aléatoire.
2) Stationarité et ergodisme.
3) Fonction de corrélation et densité spectrale.
4) Processus ARMA.

V. — Modélisation paramétrique du signal : séparation des signaux et des bruits :

1) Le problème de la détection et de l'estimation.
2) Détection en présence de bruit gaussien : filtre adapté.
3) Estimation linéaire en moyenne quadratique.
4) Filtrage de wienes, filtrage de kalman.

VI. — Applications aux télécommunications.

Art. 3. — Les dispositions du présent décret entrent en vigueur à partir de l'année universitaire 1987-1988.

Art. 4. — Le ministre de l'éducation, de l'enseignement supérieur et de la recherche scientifique est chargé de l'exécution du présent décret qui sera publié au Journal officiel de la République tunisienne.

Tunis, le 20 janvier 1990.

ZINE EL ABIDINE BEN ALI

BOURSES ET PRETS

Citer : Décret n° 90-218 du 20 janvier 1990, JORT n° 8 du 2 février 1990, p. 158.

Texte issu de la traduction française publiée pour information par l'Imprimerie Officielle de la République Tunisienne (seul le texte arabe fait foi), transcrit automatiquement : en cas de doute, reportez-vous au PDF officiel.

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